| 型号：BSO203P | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 8.2A 8-SOIC | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET DUAL P-CH 20V 8.2A 8-SOIC |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 8.2A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 21 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 1.2V @ 100µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 48.6nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 2242pF @ 15V |
| 功率_最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | P-DSO-8 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
| 深圳市百域芯科技有限公司 | 雷小姐075582788062 |
| 深圳市赛尔通科技有限公司 | 李先生086-0755-83663430 |
| 深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
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